窒化ガリウム（ガリウムナイトライド (Gallium Nitride) ，GaN）とはガリウムの窒化物で、化合物半導体の一種でワイドギャップ半導体に属します。
CAS No.25617-97-4
EINECS Number 247-129-0
三菱ケミカル製の窒化ガリウム（GaN）基板は、自社で永年培ってきたHVPEと呼ばれるエピタキシャル技術と化合物半導体の加工技術を用いた、高品質な単結晶基板です。 均一かつ高品位な結晶性と表面品質が特長です。高輝度LED用基板や、プロジェクター光源や高輝度ヘッドライトに使用される青色レーザーダイオード（LD）用基板として、幅広い用途で使用されています。 またパワーデバイスや高周波デバイスなどの電子デバイス用基板としての用途も開発を進めています。また、より高品質・高生産性を実現すべく、当社独自の液相成長法（ SuperCritical Acidic Ammonia Technology）により製造される窒化ガリウム基板SCAAT ™ の開発を進めています。

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半導体製造時のウェットエッチングで使用されるEL薬品です。次のエッチング液を取り扱っています。
Si エッチング液、Al エッチング液、Au エッチング液、Ag エッチング液

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MC1は電子工業用の高機能洗浄剤で、EL薬品の一種です。高性能なRCA代替洗浄剤です。パーティクルとメタルの除去性を併せ持つことにより、RCA洗浄の工程数を減少させ、お客様のトータルコスト低減に貢献いたします。

• 金属汚染の低減
• クロスコンタミ防止

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AM1は高いパーティクル除去性とメタル除去性を併せ持つ高機能洗浄剤で、EL薬品の一種です。バッチ・枚葉洗浄共に適用可能な高性能RCA代替洗浄剤です。さらに、シリコンを腐食しないため、メタルゲート用洗浄剤としても優れた性能を持っています。

• 枚葉洗浄剤（高清浄な表面を短時間で実現）
• メタルゲート用洗浄剤（タングステン・シリコンの腐食防止）

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半導体の製造工程のひとつである、Cu/Low-K膜のCMPの後洗浄工程においては、基板への腐食やダメージを与えずに、Cu配線上・Low-k膜上に残留するスラリー由来の有機残渣やパーティクルを除去する技術が求められています。三菱ケミカルのMXC-SDR4はそれら要求に応え、高い洗浄効果を実現する電子工業用高機能洗浄剤です。

• 高いパーティクル除去性
• 有機残渣の効果的除去
• Cu配線ガルバニック腐食低減
• Low-kダメージ低減
• Low-k面濡れ性向上

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半導体製造工程におけるシリコンウエハの洗浄においては、近年の半導体回線幅の微細化にあわせ、高度なパーティクル・メタルの除去が求められています。三菱ケミカルのスターシリーズはそれらの要求に応え、10ppt以下のメタル不純物レベルの高純度性を備えた電子工業用プロセス薬品です。
取扱品目：硝酸、塩酸、アンモニア水

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使用済モニター/ダミーウェハをお客様からお預かりして、膜除去、薄表研磨、仕上洗浄を行い、再使用出来る製品に仕上げてお客様に返却しております。

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電子加工品事業では、最先端のファインピッチバンプめっき技術、三元他各種めっき技術を有しており、機能めっき加工を受託しています。　リードフレームの外装めっきで蓄積された技術力、開発力で、半導体パッケージの微細化、狭ピッチ化、精密化、高機能化　に対応致します。　

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精密洗浄・表面加工事業では、新菱の精密洗浄技術により、ミクロンからナノ単位の汚れを、表面からきめ細かく除去致します。　高度な精密洗浄技術、及び表面改質技術により、製品の歩留り向上、及びコスト削減に貢献します。

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