半導体の製造工程のひとつである、Cu/Low-K膜のCMPの後洗浄工程においては、基板への腐食やダメージを与えずに、Cu配線上・Low-k膜上に残留するスラリー由来の有機残渣やパーティクルを除去する技術が求められています。三菱ケミカルのMXC-SDR4はそれら要求に応え、高い洗浄効果を実現する電子工業用高機能洗浄剤です。

  • 高いパーティクル除去性
  • 有機残渣の効果的除去
  • Cu配線ガルバニック腐食低減
  • Low-kダメージ低減
  • Low-k面濡れ性向上

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特徴

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Cu/Low-K膜のCMPによる平坦化後は各種無機・有機物質により汚染されており、CMP後洗浄による高清浄化実現のためには

  1. 1.パーティクル除去
  2. 2.有機残渣除去
  3. 3.メタル除去
  4. 4.Cu腐食低減
  5. 5.副反応抑制
  6. 6.基板親水化

の6つの機能が求められます。

MCX-SDR4はそれらの機能を満たし、高い洗浄効果を実現する電子工業用高純度薬品で、高機能洗浄剤として使用されます。

Post CMP洗浄剤に求められる性能

CMP後洗浄剤に求められる性能説明画像

MCX-SDR4の5つの特長

  1. 1.界面活性剤による疎水性表面の濡れ性向上
    疎水性表面の濡れ性向上グラフ
  2. 2.Cu表面やLow-k表面のダメージ抑制
  3. 3.スラリー由来の有機残渣の溶解除去性
    スラリー由来の有機物の溶解性グラフ
  4. 4.優れたパーティクル・メタル除去性
  5. 5.プロセスでの安定性

これらにより、パターン形成されたCu配線や疎水面であるLow-k表面において、極めて高い洗浄性能を実現しています。
三菱ケミカルは、これまで培った洗浄剤の技術を活かし、今後も進む半導体回線幅の微細化に対応する高機能洗浄剤の開発も行っております。

用途

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Cu配線のCMP工程における、スラリー研磨後の洗浄用途

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半導体マテリアルズ事業部
  • TEL:03-6748-7142

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