時差出勤・テレワークのため、お電話での対応が難しい場合があります。お問い合わせフォームをご利用ください。
- 三菱ケミカル株式会社
半導体本部
GaN事業開発部 -
TEL:03-6748-7136
ページ内を移動するためのリンクです

三菱ケミカル製の窒化ガリウム(GaN)基板は、自社で永年培ってきたHVPEと呼ばれるエピタキシャル技術と化合物半導体の加工技術を用いた、高品質な単結晶基板です。 均一かつ高品位な結晶性と表面品質が特長です。プロジェクター光源や高輝度ヘッドライトに使用される青色及び緑色レーザーダイオード(LD)用基板として使用されています。
また、より低欠陥・高生産性を実現すべく、アンモニアの超臨界状態を活用したSCAAT™ (*)及びSCAAT™-LP(**)の開発を行い、パワーデバイスや高周波デバイスなどのパワーエレクトロニクス用基板として、幅広い用途展開を進めていきます。
NEWS LETTER 未来社会を支える素材「GaN(窒化ガリウム)」([PDF]859KB)
改訂履歴(2022年6月10日実施)
[閉じる]



[閉じる]
[閉じる]
MOCVD等によるエピタキシャル薄膜成長用の基板
時差出勤・テレワークのため、お電話での対応が難しい場合があります。お問い合わせフォームをご利用ください。
TEL:03-6748-7136
ページの終わりです