窒化ガリウム基板

窒化ガリウム(ガリウムナイトライド (Gallium Nitride) ,GaN)とはガリウムの窒化物で、化合物半導体の一種でワイドギャップ半導体に属します。
CAS No.25617-97-4
EINECS Number 247-129-0
三菱ケミカル製の窒化ガリウム(GaN)基板は、自社で永年培ってきたHVPEと呼ばれるエピタキシャル技術と化合物半導体の加工技術を用いた、高品質な単結晶基板です。 均一かつ高品位な結晶性と表面品質が特長です。高輝度LED用基板や、プロジェクター光源や高輝度ヘッドライトに使用される青色レーザーダイオード(LD)用基板として、幅広い用途で使用されています。 またパワーデバイスや高周波デバイスなどの電子デバイス用基板としての用途も開発を進めています。また、より高品質・高生産性を実現すべく、当社独自の液相成長法( SuperCritical Acidic Ammonia Technology)により製造される窒化ガリウム基板SCAAT ™ の開発を進めています。

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特徴

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窒化ガリウム(ちっかガリウム),ガリウムナイトライド (Gallium Nitride) ,GaNはガリウムの窒化物。
CAS No.25617-97-4, EINECS Number 247-129-0


1.HVPE法(ハイドライド気相成長法)によるGaAsP エピウエハビジネスでの30年以上の経験を活かしたオリジナルデザインのHVPE装置を開発し、高品質な窒化ガリウム(GaN)基板を製造・販売しています。

結晶成長装置;HVPE法によるGaAsPエピウエハビジネスで30年以上の経験。
オリジナルデザインのHVPE装置。
大規模なガス供給設備、排ガス処理設備等を所有。

2.GaAs基板での30年以上の経験を生かした加工技術をGaN基板へも応用し、ダメージフリーで粗さ値Rms0.2nm以下の平坦な表面、制御された面方位、制御された原子ステップを実現しており、エピ成長に適した表面品質を実現しています。

加工工程;GaAs基板での30年以上の経験を生かした結晶加工技術。
(スライシング、べべリング、ラッピング、ポリッシング、洗浄等)

3.より高品質・高生産性を実現すべく、当社独自の液相成長法( SuperCritical Acidic Ammonia Technology)により製造される窒化ガリウム基板SCAAT ™ の開発を進めています。

用途

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  • 高輝度白色LEDや青色、緑色LDなどの発光デバイス用基板
  • パワーデバイスや高周波デバイスなどの電子デバイス用基板

使用方法

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MOCVD等によるエピタキシャル成長用の下地基板

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新エネルギー戦略企画部 新規事業推進室
  • TEL:03-6748-7136

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