窒化ガリウム基板

三菱ケミカル製の窒化ガリウム(GaN)基板は、自社で永年培ってきたHVPEと呼ばれるエピタキシャル技術と化合物半導体の加工技術を用いた、高品質な単結晶基板です。 均一かつ高品位な結晶性と表面品質が特長です。プロジェクター光源や高輝度ヘッドライトに使用される青色及び緑色レーザーダイオード(LD)用基板として使用されています。
また、より低欠陥・高生産性を実現すべく、アンモニアの超臨界状態を活用したSCAAT™ (*)及びSCAAT™-LP(**)の開発を行い、パワーデバイスや高周波デバイスなどのパワーエレクトロニクス用基板として、幅広い用途展開を進めていきます。

  • *SCAAT™は、三菱ケミカル株式会社が実施する酸性アモノサーマル技術のブランドネームです。 この技術は、国立大学法人東北大学、株式会社日本製鋼所及び当社の協力により確立したものです。
  • **SCAAT™ -LPは、三菱ケミカル株式会社及び株式会社日本製鋼所が実施する低圧酸性アモノサーマル技術のブランドネームです。 この技術は、国立大学法人東北大学、株式会社日本製鋼所、三菱ケミカル株式会社の3者で共同開発したものです。

NEWS LETTER   未来社会を支える素材「GaN(窒化ガリウム)」[PDF]859KB)

改訂履歴(2022年6月10日実施)

  • 改定内容
    • “三菱ケミカル独自の液相成長技術(Super Critical Acidic Ammonia Technology, 以下「SCAAT™」)” という文言を削除
  • 改定の趣旨
    • 国立大学法人東北大学多元物質科学研究所(以下、東北大学)から、当社が実施する酸性アモノサーマル技術(SCAAT™)は、当社独自の技術ではなく、東北大学および株式会社日本製鋼所の協力のもとに確立した技術であるとの指摘がありました。当社は東北大学の指摘を真摯に受け止め、関連する記事の一部を訂正いたしました。
      詳細はこちらをご確認ください。[PDF]130KB)

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特徴

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HVPE法による2インチGaN基板
  1. 1.HVPE法(ハイドライド気相成長法)によるGaAsP エピウエハビジネスでの30年以上の経験を活かしたオリジナルデザインのHVPE装置を開発し、高品質な窒化ガリウム(GaN)基板を実現しています。


原子ステップが観察されるGaN基板の代表的なAFM像(Rms<0.2nm)
  1. 2.GaAs基板での30年以上の経験を生かした加工技術をGaN基板へも応用し、ダメージフリーで粗さ値Rms0.2nm以下の平坦な表面、制御された面方位、制御された原子ステップを実現しており、エピ成長に適した表面品質を実現しています。


SCAAT™による大型低欠陥GaN結晶
  1. 3.更なる低欠陥・高生産性を実現すべく、アンモニアの超臨界状態を活用したSCAAT™ 及びSCAAT™ -LPの開発を進めています。

用途

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  • 紫色、青色及び緑色レーザーダイオードなどの発光デバイス用基板
  • パワーデバイスや高周波デバイスなどのパワーエレクトロニクス用基板

使用方法

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MOCVD等によるエピタキシャル薄膜成長用の基板

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三菱ケミカル株式会社
インフォメーション&エレクトロニクス本部
グローバルGaNプロジェクト
  • TEL:03-6748-7136

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