半導体本部

インバーターなどに搭載されるパワーモジュールに好適な、高い放熱性と高い絶縁性を両立した樹脂シートです。独自開発のカードハウス状BN(窒化ホウ素)フィラーを配合した高純度樹脂シートで、高放熱用途で広く用いられている窒化ケイ素基板と同等の絶縁性と放熱性を達成(弊社調べ)致しました。

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三菱ケミカル製の窒化ガリウム（GaN）基板は、自社で永年培ってきたHVPEと呼ばれるエピタキシャル技術と化合物半導体の加工技術を用いた、高品質な単結晶基板です。 均一かつ高品位な結晶性と表面品質が特長です。プロジェクター光源や高輝度ヘッドライトに使用される青色及び緑色レーザーダイオード（LD）用基板として使用されています。
また、より低欠陥・高生産性を実現すべく、アンモニアの超臨界状態を活用したSCAAT™ ^(*)及びSCAAT™-LP^(**)の開発を行い、パワーデバイスや高周波デバイスなどのパワーエレクトロニクス用基板として、幅広い用途展開を進めていきます。

• *SCAAT™は、三菱ケミカル株式会社が実施する酸性アモノサーマル技術のブランドネームです。 この技術は、国立大学法人東北大学、株式会社日本製鋼所及び当社の協力により確立したものです。
• **SCAAT™ -LPは、三菱ケミカル株式会社及び株式会社日本製鋼所が実施する低圧酸性アモノサーマル技術のブランドネームです。 この技術は、国立大学法人東北大学、株式会社日本製鋼所、三菱ケミカル株式会社の３者で共同開発したものです。

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