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窒化ガリウム基板

窒化ガリウム(ガリウムナイトライド (Gallium Nitride) ,GaN)とはガリウムの窒化物で、化合物半導体の一種でワイドギャップ半導体に属します。
CAS No.25617-97-4
EINECS Number 247-129-0
三菱ケミカル製の窒化ガリウム(GaN)基板は、自社で永年培ってきたHVPEと呼ばれるエピタキシャル技術と化合物半導体の加工技術を用いた、高品質な単結晶基板です。 均一かつ高品位な結晶性と表面品質が特長です。高輝度LED用基板や、プロジェクター光源や高輝度ヘッドライトに使用される青色レーザーダイオード(LD)用基板として、幅広い用途で使用されています。 またパワーデバイスや高周波デバイスなどの電子デバイス用基板としての用途も開発を進めています。また、より高品質・高生産性を実現すべく、当社独自の液相成長法( SuperCritical Acidic Ammonia Technology)により製造される窒化ガリウム基板SCAAT ™ の開発を進めています。