在半导体生产中有一道工序是Cu/Low-k膜CMP后进行清洗。技术被要求在基板不造成腐蚀、损坏的基础,再加上可去除Cu配线及Low-k膜上残留的研磨液有机残渣或粒子。三菱化学生产的MXC-SDR4便是为满足这些要求,可达到高清洗效果的电子工业用洗涤剂。 优点: ・粒子去除性强 ・有效去除有机残渣 ・降低Cu配线的电偶腐蚀 ・降低Low-k损伤 ・提高Low-k表面润湿性

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特点

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Cu/Low-K膜通过CMP平面化后,会受到各种无机、有机物污染,通过CMP后清洗实现要求达到如下六项功能

  1. 1.去除粒子
  2. 2.去除有机残渣
  3. 3.去除金属杂质
  4. 4.降低Cu腐蚀
  5. 5.抑制副作用
  6. 6.基板亲水化

MCX-SDR4的五大优点

  1. 1.通过表面活性剂提高亲油性表面的润湿性
  2. 2.抑制Cu表面及Low-k表面的损伤
  3. 3.溶解并去除研磨液的有机残渣
  4. 4.去除粒子、金属污染的性能优异
  5. 5.工序稳定性

通过这些,对压模成型的Cu配线及亲油面的Low-k表面都可以做到极好的清洁效果。 三菱化学灵活运用至今为止所积累的洗涤剂技术,应对今后半导体线路微细化进程不断发展,开发性能更高的洗涤剂。

用途

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用于Cu配线的CMP处理中,研磨液研磨后的清洗。

产品阵容·规格

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