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在半导体生产中有一道工序是Cu/Low-k膜CMP后进行清洗。技术被要求在基板不造成腐蚀、损坏的基础，再加上可去除Cu配线及Low-k膜上残留的研磨液有机残渣或粒子。三菱化学生产的MCX-SDR4便是为满足这些要求，可达到高清洗效果的电子工业用洗涤剂。
优点：
- 粒子去除性强
- 有效去除有机残渣
- 降低Cu配线的电偶腐蚀
- 降低Low-k损伤
- 提高Low-k表面润湿性
特点
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Cu/Low-k膜通过CMP平面化后，会受到各种无机、有机物污染，通过CMP后清洗实现要求达到如下六项功能
- 1.去除粒子
- 2.去除有机残渣
- 3.去除金属杂质
- 4.降低Cu腐蚀
- 5.抑制副作用
- 6.基板亲水化
MCX-SDR4的五大优点
- 1.通过表面活性剂提高亲油性表面的润湿性
- 2.抑制Cu表面及Low-k表面的损伤
- 3.溶解并去除研磨液的有机残渣
- 4.去除粒子、金属污染的性能优异
- 5.工序稳定性
通过这些，对压模成型的Cu配线及亲油面的Low-k表面都可以做到极好的清洁效果。 三菱化学灵活运用至今为止所积累的洗涤剂技术，应对今后半导体线路微细化进程不断发展，开发性能更高的洗涤剂。
用途
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用于Cu配线的CMP处理中，研磨液研磨后的清洗。
产品阵容·规格
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