Siエッチ シリーズは、スピンエッチング装置用のシリコンウェハエッチング液で、ウェハ裏面の加工変質層を除去します。

お問い合わせ

特徴

[閉じる]

Siエッチシリーズは、スピンエッチング装置用のシリコンウェハエッチング液です。
ウェハ裏面の加工変質層を除去し、鏡面または粗面処理に適しています。

用途

[閉じる]

  • シリコン基板の裏面処理 加工変質層の除去、平坦・鏡面・粗面処理
  • ウェットエッチング スピンエッチング装置、枚葉式ウェット処理装置、半導体プロセス用薬品自動供給装置専用 高純度薬品

Siエッチシリーズ一覧

[閉じる]

  1. 1.鏡面化処理液
    • SiエッチE Etch.rate:25µm/min
    • SiエッチF Etch.rate:20µm/min
    • SiエッチJ Etch.rate:8µm/min
  2. 2.鏡面仕上げ液
    • MH-3 Etch.rate:10µm/min
  3. 3.粗面化処理液
    • SiエッチC Etch.rate:3µm/min
    • SiエッチD Etch.rate:2µm/min

処理例

[閉じる]

鏡面化処理(SiエッチE)

処理前 処理後
レーザー顕微鏡[倍率:1,000倍]




結晶軸〈100〉、導電型 P型、抵抗(0.013~0.020Ωcm)、酸エッチング面





粗面化処理

SiエッチDによる処理

SiエッチCによる処理



結晶軸〈100〉、導電型 P型、抵抗(0.4~0.6Ωcm) 結晶軸〈100〉、導電型 P型、抵抗(0.005~0.007Ωcm)

製品に関するお問い合わせ


半導体マテリアルズ事業部
  • TEL:03-6748-7142

半導体マテリアルズ事業部の製品一覧を見る[別窓表示]