Si蚀刻系列是用于旋转蚀刻装置的硅晶片蚀刻液，清除晶片背面的加工损坏层

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特点

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  • Si蚀刻系列是用于旋转蚀刻装置的硅晶片蚀刻液。
  • 清除硅晶背面的加工损坏层，最适用于镜面或粗面处理。

用途

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  • 硅基板的背面处理 清除加工损坏层、平坦/镜面/粗面处理
  • 湿法蚀刻 旋转蚀刻装置、单晶圆湿法处理装置、半导体工序用化学药液自动供给装置专用　高纯度化学品

Si蚀刻系列一览

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  1. 1.镜面化处理液
    • Si蚀刻E Etch.rate：25µm/min
    • Si蚀刻F Etch.rate：20µm/min
    • Si蚀刻J Etch.rate：8µm/min
  2. 2.镜面精加工液
    • MH-3　Etch.rate：10µm/min
  3. 3.粗面化处理液
    • Si蚀刻C Etch.rate：3µm/min
    • Si蚀刻D Etch.rate：2µm/min

処理例

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镜面化处理(Si-E)
处理前 处理后
激光显微镜[倍率∶1,000倍]




结晶轴<100 >，导电型P型，反抗(0.013～0.020Ωcm)，酸蚀刻法方面





粗糙面化处理

由Si-D的处理

由Si-C的处理



结晶轴<100 >，导电型P型，反抗(0.4～0.6Ωcm) 结晶轴<100 >，导电型P型，反抗(0.005～0.007Ωcm)


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Semiconductor Materials Dept.

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