Si蚀刻系列是用于旋转蚀刻装置的硅晶片蚀刻液,清除晶片背面的加工损坏层

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特点

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  • Si蚀刻系列是用于旋转蚀刻装置的硅晶片蚀刻液。
  • 清除硅晶背面的加工损坏层,最适用于镜面或粗面处理。

用途

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  • 硅基板的背面处理 清除加工损坏层、平坦/镜面/粗面处理
  • 湿法蚀刻 旋转蚀刻装置、单晶圆湿法处理装置、半导体工序用化学药液自动供给装置专用 高纯度化学品

Si蚀刻系列一览

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  1. 1.镜面化处理液
    • Si蚀刻E Etch.rate:25µm/min
    • Si蚀刻F Etch.rate:20µm/min
    • Si蚀刻J Etch.rate:8µm/min
  2. 2.镜面精加工液
    • MH-3 Etch.rate:10µm/min
  3. 3.粗面化处理液
    • Si蚀刻C Etch.rate:3µm/min
    • Si蚀刻D Etch.rate:2µm/min

処理例

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镜面化处理(Si-E)

处理前 处理后
激光显微镜[倍率∶1,000倍]




结晶轴<100 >,导电型P型,反抗(0.013~0.020Ωcm),酸蚀刻法方面





粗糙面化处理

由Si-D的处理

由Si-C的处理



结晶轴<100 >,导电型P型,反抗(0.4~0.6Ωcm) 结晶轴<100 >,导电型P型,反抗(0.005~0.007Ωcm)



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