氮化镓基板

氮化镓(Gallium Nitride,GaN)是镓的氮化物,是化合物半导体的一种,属于宽禁带半导体。
CAS No.25617-97-4,
EINECS Number 247-129-0
三菱化学制造的氮化镓(GaN)基板是利用公司多年研发的氢化物气相外延技术(HVPE)和化合物半导体加工技术生产出的高品质单晶基板。 其特点是具有均一且高品位的结晶性与表面质量。
广泛用作各种LED(白光LED、紫外光LED、紫光LED、蓝光LED)的基板、蓝光光头用的蓝紫光LD(激光二极管)以及微型投影仪用的绿色LD基板等。 此外,正在研究开发用于功率元器件及高频元器件等电子元器件的基板。目前还着手开发可实现高品质、高生产效率的氨热生长法。该方法是基于液相生长方式的氮化镓基板制造方法。

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特点

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氮化镓(氮化镓),Gallium Nitride, GaN是镓的氮化物。
CAS No.25617-97-4, EINECS Number 247-129-0

 

1、利用30多年基于HVPE法(氢化物气相成长法)的GaAsP外延片业务经验,开发出了具有独特设计的HVPE装置,已经实现了高质量氮化镓(GaN)基板的生产和销售。

晶体生长设备;拥有30多年的基于HVPE法的GaAsP外延片业务经验。
具有独特设计的HVPE设备。
拥有大规模的供气设备、废气处理设备。

2、将30多年积累的 GaN基板研发经验应用于GaN基板开发,实现了无损伤粗糙度值小于Rms0.2nm的平坦表面、通过平面方向控制与原子阶控制,达到了适合外延生长的表面质量。

加工工艺;利用30多年积累的 GaN基板研发经验造就的结晶加工技术。
(切片、斜边倒角、打磨、抛光、清洗等)

3、正在开发可以实现更高品质和更高生产力的氨热生长方法。该方法是基于液相生长方式的氮化镓基板制造方法。

用途

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用于白光LED、紫外光LED、紫光LED、蓝光LED等各种发光二极管的基板。
用于功率元器件的基板、用于高频元器件等电子元器件的基板。

使用方法

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用于MOCVD等外延生长用的最底层衬底材料。

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